两相液冷技术攻克高功率AI芯片散热难题
两相液冷技术攻克高功率AI芯片散热难题 当前AI芯片功率持续增长，热流密度逐步攀升，传统单相水冷方案已逼近物理极限。单相水冷借助显热换热移除热量，当负载骤然上升时热量积累速度远超散热速度，芯片进出口温差能达十五至二十摄氏度，芯片表面温差超过八摄氏度。长期剧烈的温度变化会引发热应力，加速芯片封装老化进程；与此同时散热响应存在滞后，高负载工况下频繁触发芯片降频，直接导致算力损失。传统单相水冷仅能承受约150W/cm²的热流密度，难以满足新一代高功耗算力芯片的工作要求。 两相液冷利用工质沸腾吸收潜热实现高效散热
算力芯片散热新纪元：技术迭代与痛点解析
一、散热技术演进脉络随着算力需求激增，AI散热技术已跨越风冷、单相液冷、两相及微通道液冷，并迈向芯片内生散热阶段。其核心驱动力在于解决单芯片功率超1000W、机柜总功率达60–150kW以及热流密度突破500W/cm²的极端散热难题。1）风冷阶段（2015年以前）技术原理：风扇搭配热管或均热板（VC）配合散热片。散热能力：单机柜功率控制在20kW以内，热流密度低于50W/cm²。主要短板：超过30kW后散热效率急剧下降，机房能源使用效率（PUE）常超过1.5。2）冷板液冷时期（2018-2023）技术原理