SK海力士加速龙仁Y1厂投产，目标提前至明年2月
IT之家 7 月 14 日消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，SK 海力士已正式启动龙仁 Y1 晶圆厂的建设，并着手采购 DRAM 生产设备，初期规划产能为每月 2 万片晶圆。 根据半导体行业动态，Y1 厂位于韩国京畿道龙仁市处仁区的半导体产业园，一期工程包含两座厂房与六间无尘室，其中首座无尘室（Phase 1，简称 ph1）已进入施工阶段。 原定于明年 5 月投产的 Y1 ph1，现计划提前至明年 2 月。为匹配新工期，SK 海力士已向关键供应商下达设备订单，并规划于明年 2 月启动 One P
三星加速芯片布局，龙仁新厂2029年提前开建
三星电子发言人确认，在存储芯片需求激增与全球人工智能基础设施热潮的推动下，公司决定将位于首尔南部龙仁市的首座芯片制造厂投产时间提前至2029年，整体建设周期最多压缩两年。 该工厂属于韩国规划的龙仁国家产业园区，原计划于2030至2031年间投产。投产时间的提前，将帮助三星更迅速地响应全球AI芯片市场的快速增长需求。 此次建厂加速是三星上月公布的大规模产能扩张计划的一部分。这家芯片巨头承诺投入2030万亿韩元（约合1.35万亿美元），扩建平泽和龙仁两大核心半导体生产基地；同时计划投资400万亿韩元（约合26
三星电子拟提前龙仁芯片厂投产至2029年
据知情人士周一透露，为应对人工智能（AI）基础建设对存储芯片的爆发式需求，三星电子正考虑将龙仁芯片厂的启用时间由原定的2030至2031年提前至2029年。 责任编辑：王永生 新浪财经声明：此消息系转载自合作媒体，新浪财经登载此文出于传递更多信息之目的，文章内容仅供参考，不构成投资建议。 郑重声明：1.根据《证券法》规定，禁止编造、传播虚假信息或者误导性信息，扰乱证券市场；2.用户在本社区发表的所有资料、言论等仅代表个人观点，与本网站立场无关，不对您构成任何投资建议。用户应基于自己的独立判断，自行决定证券
三星拟将龙仁首座晶圆厂投产时间提前至2029年
据业内人士周日披露，三星电子打算把龙仁芯片产业园区首座晶圆工厂的投产节点提前至2029年，比原定计划提早一到两年。 投产进度加快，主要源于韩国政府大力推动龙仁国家产业园区落地。该园区属于国家级战略工程，有望成为三星下一代半导体生产的关键枢纽。 据透露，这座产业园区位于首尔南部，计划兴建六座半导体厂房，首座工厂预计2029年开始运营。 一位业内人士指出：“首座工厂提前投产后，将帮助三星更迅速地应对全球人工智能芯片需求激增的市场趋势。” 另据该芯片制造商上月公布的信息，按照其超大规模投资部署，三星将向平泽、龙
SK 海力士雄心勃勃：2031 年 DRAM 月产能欲破百万大关
IT 之家 6 月 5 日讯，韩国媒体 The Elec 今日下午引述内部消息指出，SK 海力士已向核心供应商通报了其最新的扩张蓝图，旨在 2030 至 2031 年间，将 DRAM 晶圆的投片规模提升至当前水平的两倍左右。 该扩产战略在 2026 台北国际电脑展前夕便已确立。展会期间，英伟达掌门人黄仁勋在 SK 海力士的 DRAM 晶圆上题字“请多生产”，这一举动侧面印证了 AI 存储市场需求的急剧攀升。 多位业界知情人士透露，近两个月来，SK 海力士的采购部门及龙仁半导体集群负责人，已相继向主要合作伙
SK海力士拟赴美挂牌 融资加码AI布局
韩国SK海力士正在权衡一项可能重塑全球投资者获取AI内存周期最大受益者之一渠道的举措。据报道，这家韩国芯片制造商正在探索通过美国存托凭证在美国上市，可能筹集10万亿至15万亿韩元，以期扩大产能并更深度地参与与人工智能相关的激增需求。根据报道，所得资金可能用于建设AI基础设施，包括在龙仁的一个半导体集群，同时支持其内存业务的进一步扩张。 该公司管理层尚未确认最终决定，指出包括ADR上市在内的各项股东价值举措仍在审查中，尚未最终确定。尽管如此，潜在的理由正变得越来越清晰。在美国上市可能使SK海力士接触到更广泛