美光HBM4产能扩张提速，HBM4E量产预计明年启动
IT之家 5 月 25 日消息，据韩媒 The Elec 今日报道，美光科技第六代高带宽内存 HBM4 目前正在顺利扩大产能，同时还计划于明年启动下一代 HBM4E 标准产品量产。 当地时间 5 月 20 日，美光科技全球运营执行副总裁马尼什 · 巴蒂亚在摩根大通投资者会议上表示，美光 HBM4 的量产爬坡速度已经超过去年 12 层 HBM3E 产品的约两倍，良率提升也更为迅速。据IT之家了解，HBM4 主要面向英伟达 Vera Rubin AI 计算平台。 美光透露，HBM4 量产加速主要源于三方面因素
百川智能推M4医疗大模型与百小医，王小川：医疗AI需增强模型而非通用模型
5月26日中午，在AI医疗新范式学术论坛上，百川智能创始人兼CEO王小川发表主题演讲，重点介绍了其研发的新一代医疗大模型Baichuan-M4与AI家庭医生“百小医”。 王小川指出，AI有望为中国医疗带来新供给，优化就医体验并实现家庭全周期健康管理。虽然方向正确，但实施需严谨。过去一年，通用大模型在医疗咨询中应用广泛，患者常就发烧、皮疹或体检报告咨询AI。然而临床反馈不佳。通用模型虽回答流利专业，却常“看似正确实则危险”。幻觉被误认为确定性，导致患者带AI给出的“诊断”质疑医生，反而激化了医患矛盾。 他强
5月5日美股成交额前20：美光再创历史新高，CEO看好高速内存需求
周一在美股成交额榜单中，美光位列第1（576.45, 34.24, 6.31%），当日上涨6.31%，股价刷新历史高位，成交额达264.4亿美元。分析人士认为，推动美光（以及闪迪(1255.86, 68.86, 5.80%)）股价走强的主要因素有三点。 首先，亚洲存储龙头SK海力士当天大涨12%，市值突破千亿韩元，显著带动市场风险偏好。与此同时，美国科技四大巨头公布计划投入7000亿美元资本开支，进一步点燃资金对行业的炒作情绪。 其次，美光CEO提到，AI仍处于发展的早期阶段，未来推理环节的需求有望大幅提
AI每日观察 | 2026年5月1日
要点：数字中国峰会透露，2025 年全国 AI 推理所对应的数据量（101.34 EB）首次超过训练数据量，标志着 AI 正式迈入“应用与执行”阶段。补充：数据总规模达到 199.48 EB，同比增长 42.86%。这也意味着建设底座的重点将从“打造大模型”逐步转向“调用并落地大模型”。影响：企业需要调整 IT 架构设计，推理芯片与边缘算力的需求有望快速放大。要点：《杭州市促进具身智能机器人产业发展条例》自今日起正式实施，为机器人在道路与工厂环境的使用提供更明确的法律依据。补充：作为全国首部相关地方性法规
利润飙升近50倍，三星再警告2027供应缺口将扩大
三星电子周四披露的一季度财报显示，旗下芯片相关业务营业利润同比大涨近50倍，刷新历史最高纪录。与此同时，公司也提出风险提示：由于人工智能带动的内存需求增长明显快于供给，预计2027年的供需缺口还会继续拉大。 从财报口径看，半导体部门中的设备解决方案业务在一季度实现销售额81.7万亿韩元，营业利润达到53.7万亿韩元，同比大约增长48倍，并贡献了公司总营业利润的94%。存储业务方面，销售额为74.8万亿韩元，同比增长292%。整体来看，一季度公司营收133.9万亿韩元，同比增长69%；总营业利润57.2万亿
摩根大通维持ASMPT增持评级，目标价上调至175港元
摩根大通发布研究报告指出，ASMPT(164.4, 9.90, 6.41%)（00522）今年第一季度业绩及第二季指引均大幅超出市场预期，主要得益于半导体及表面贴装技术（SMT）收入强劲，以及半导体毛利率改善。该机构预测，ASMPT今年收入增长约30%至40%，因其先进封装持续拓展，且AI服务器电路板及电源管理IC带动主流半导体和SMT方案强力回升。因此上调今明两年每股盈利预测35%及21%，目标价由130港元升至175港元，维持“增持”评级。该行认为，公司未来几季有多项催化剂推动股价上涨，包括积压的HB
上海棣山科技2nm AI GPU研发获突破性进展
据《新闻晨报》4月13日报道，近日，上海棣山科技有限公司（以下简称“棣山科技”）对外披露其2nm高端AI GPU芯片最新研发进展。据悉，该公司自主攻关的这款芯片已达到国际前沿设计水平，目前核心研发工作仍处于原型验证关键阶段。据行业专业人士分析，该芯片距离正式流片、量产及规模化商用，预计仍需1至2年时间。作为国内专注于高端芯片研发的科技企业，棣山科技自成立以来，始终以“传感器芯片+高算力芯片”双轮驱动为核心战略，重点布局AI GPU领域核心技术攻坚。2025年，公司官方正式对外宣布，首款自研2nm AI G
SK 海力士押注台积电 3nm 工艺 旨在 HBM4E 超越三星抢占 AI 内存高地
IT之家 3 月 22 日消息，据韩媒《朝鲜日报》，SK 海力士正考虑在其 HBM4E 中为承担核心处理功能的“逻辑芯片”引入台积电 3nm 工艺，从而进一步获取性能优势。 业内消息人士 3 月 20 日透露，SK 海力士计划在 HBM4E 的“核心芯片”（即堆叠的 DRAM）上使用 10nm 级第 6 代（1c）DRAM 工艺，而逻辑芯片则采用台积电的 3nm 工艺。 相比之下，今年 SK 海力士向英伟达供应的 HBM4 采用了 10nm 级第 5 代（1b）DRAM 核心芯片，逻辑芯片则使用台积电 1