HBM市场领先之后，SK海力士被曝重心转向通用DRAM生产
IT之家 6 月 23 日消息，据韩媒 Chosun.biz 今天（23 日）报道，SK 海力士开始放缓第六代高带宽内存 HBM4 的扩产步伐，将更多产能和资源转向通用型 DRAM。 鉴于 SK 海力士的 HBM 营收占比已经超过 40%，已在市场占据明显优势，因此无须继续参与激进的扩产竞争。相比之下，通用型 DRAM 供应严重短缺，盈利能力也已经超过 HBM，成为获取更多利润的新重点。 消息称 SK 海力士已经推迟部分 HBM3E 产线转产 HBM4 的时间（IT之家注：HBM3E 属于第五代 HBM）
百川M4登顶HealthBench，AI问诊能力首次超越GPT
百川M4问鼎HealthBench：当AI不再局限于答题，而是学会了“问诊” 我上周看到一则新闻，差点笑喷——百川智能携手清华推出的Baichuan-M4，在OpenAI主导的医疗基准HealthBench上，包揽三个子榜的冠军，完胜GPT-5.5与Claude Opus 4.7。 诚然，“第一”在国内AI界屡见不鲜，但此次数据颇为亮眼：综合分68.6，甩开GPT-5.5近10分；在最具挑战性的Hard子榜中，优势更是拉大到15.9分。这绝非小胜，而是绝对压制。 值得注意的是其幻觉率仅3.3%，对比之下G
AI Infra 产业动态：光子突破、HBM4E 量产与具身智能新融资
目录1.AI 芯片Marvell 披露等离激元硅光子进展，赋能 3.2T 以上光模块日月光确立今年硅光子量产计划，加速自动化与新材料融合Samsung 与 AMD 洽谈 2028 年 CPU 代工，引发谷歌等巨头关注imec 发布 CMOS 2.0 微缩新范式，将 3D 集成深化至电路级AMD 泄露下一代 Threadripper 详情，采用 2 纳米 Zen 6 架构三安光电联手伙伴突破同质外延氧化镓，实现 2 英寸高质量生长2.存储半导体SK 海力士向核心客户送样 12 层 HBM4E，单引脚带宽 1
SK海力士首发下一代AI存储HBM4E 12层堆叠样品
已向核心客户交付12层HBM4E样品引脚速度最高达16Gbps，性能与能效同步优化运用前沿MR-MUF工艺，热阻下降17%，大幅提升可靠性“凭借行业顶尖的技术实力与量产水准，不断引领AI革新，超前实现市场渴求的价值”2026年6月18日，SK海力士宣布，企业已向核心客户交付12层HBM4E样品，此款产品系专为人工智能（AI）打造的次世代超高带宽DRAM。SK海力士指出：“依托长久以来建立的HBM先发研发优势及量产底蕴，公司顺利向客户交付12层HBM4E样品。我们将同核心客户深度合作，力求保障如期实现量产。
SK海力士如期送样12层HBM4E，量产在即
专题：市场虽有短期反复，但中长期向上趋势未改 韩国存储芯片领军企业SK海力士周四透露，已启动向全球核心客户运送其最新高带宽内存（HBM）产品——12层HBM4E的样品，这象征着在人工智能（AI）应用下一代内存争夺战中又向前迈进了一程。 SK海力士于新闻稿中称：“依托公司卓越的HBM研发与制造技术，我们已如期交付12层HBM4E样品。未来将与伙伴携手，加速推动量产进程。” 据该企业介绍，12层HBM4E在性能表现与能效水平上均实现优化。其能效较前代产品型号提升逾20%。这类升级有望增强人工智能训练及推理任务
AI与具身智能最新进展
德国Neura Robotics获英伟达与亚马逊注资C轮，推动物理AI人形机器人发展加速进化完成近十亿元新一轮融资，第一季度人形机器人出货量同比增长百分之五百智元机器人达成全球首个通用具身智能机器人万台交付里程碑新能源汽车领域东风全固态电池预计下半年量产装车，能量密度达三百五十瓦时每千克，续航里程突破一千公里蔚来乐道L60正式发布，首次搭载自研五纳米神玑NX9031智驾芯片及世界模型赛力斯携手字节跳动推出AI原生汽车品牌AIVA，全系标配豆包大模型芯片与半导体动态英伟达确认Vera Rubin平台进入量产
英伟达联手SK海力士推进AI存储新纪元
受人工智能产业需求激增影响，全球存储芯片供应趋紧，英伟达与 SK 海力士就此达成一项多年合作协议，联合研发高端存储芯片。这份合作涵盖芯片设计与生产制造，同时将为英伟达下一代主力人工智能系统Vera Rubin平台提供配套存储产品。 该协议在英伟达首席执行官黄仁勋访韩期间正式公布。借助此次合作，SK 海力士在第四代高带宽内存（HBM4）的量产推进中占据优势，这款产品是高端 AI 芯片的核心配套存储。黄仁勋表示，三星电子、SK 海力士和美光(956.055, 92.05, 10.65%)科技均已获得 HBM4
英伟达携手SK海力士深化合作 共研AI存储芯片
专题：结构性行情进入中后期 重点在于订单与供给限制 英伟达携手SK海力士展开协作，联手开发针对人工智能的新一代存储芯片，这对这家韩国顶尖半导体巨头来说是个重要机遇。 双方在声明中指出，已签署长期协议，共同推动芯片设计与制造流程。英伟达将协助合作伙伴开拓新业务板块，涵盖基础设施、物理AI，以及为英伟达旗舰级加速卡Vera Rubin所匹配的存储方案。 英伟达CEO黄仁勋上周首次确认，公司已授权三星电子、SK海力士及美光(864.01, -131.99, -13.25%)科技提供HBM4内存。该产品是Vera
HBM4量产加速：存储芯片行业迎来"散热制胜"新阶段
📅 2026年6月7日 · 星期日当HBM4的功率密度逼近100W/cm²，传统的风冷方案已经彻底失效——谁掌握了散热，谁就掌握了下一代AI芯片的命脉。6月5日，英伟达CEO黄仁勋在韩国接受采访时抛出重磅消息：全球三大存储芯片制造商——SK海力士、三星电子和美光科技——为英伟达最新AI平台Vera Rubin送样的HBM4均已通过认证并投入生产。与此同时，黄仁勋还提到将"更明智地使用内存"并"争取更多供应"，暗示HBM供应端的紧张程度仍未缓解。而在技术层面，三大存储厂商之间
三大存储巨头齐获认证！三星、SK海力士、美光将供货英伟达Vera Rubin平台
英伟达CEO黄仁勋周五在首尔披露，三星电子、SK海力士与美光科技已全部通过验证，将为英伟达下一代AI平台Vera Rubin提供HBM4高带宽存储芯片。 黄仁勋在抵达韩国访问期间向媒体透露，三家供应商均已完成资质认证并进入量产状态，当前正全力确保Vera Rubin平台的芯片供应。此次是英伟达首次官方确认三家存储芯片企业同时获得HBM4供货资质。这三家企业把控着全球存储芯片市场，此前一直在争夺英伟达HBM供应份额。SK海力士在HBM3E时代拥有约62%的市场份额，此次三家同步获得认证，HBM4世代的供应格
英伟达正式认证三家HBM4供应商 存储芯片概念股应声走强
英伟达CEO黄仁勋周五在首尔披露，三星电子、SK海力士与美光科技均已通过产品认证，将为英伟达下一代AI平台Vera Rubin提供HBM4高带宽存储芯片。消息刺激三家存储芯片厂商股价在当日交易中普遍上扬。黄仁勋抵达韩国访问时向媒体透露，三家供应商均已顺利完成资质认证，全面进入量产状态，目前正加班加点确保Vera Rubin平台的供货。三家公司此前一直在争夺英伟达HBM供应份额，这是英伟达首次正式宣布三家企业同步获得HBM4供应资质。黄仁勋本周在台北电脑展期间表示，Vera Rubin已启动全面量产，整机产
黄仁勋确认：三大存储巨头获供 HBM4 资格
英伟达掌门人黄仁勋透露，全球三家顶尖存储芯片厂商已顺利获得认证，具备向英伟达 AI 加速器提供最前沿高带宽存储芯片的资质。 此项决议标志着 SK 海力士、三星电子以及美光 (996, -83.57, -7.74%) 科技即将启动 HBM4 芯片的规模化量产与交付。这三家企业掌控着全球存储芯片市场的命脉，长期以来在该领域的市场份额争夺中竞争白热化。 黄仁勋在抵达首尔开启数日行程之际向媒体指出，上述三家供应商均已完成认证并投入生产，正全力角逐以支撑英伟达最新一代 AI 芯片 Vera Rubin。 据悉，黄仁
三星首发 HBM4E 样品，供货全球 AI 巨头
三星电子于周五宣布，已正式启动其最新一代高带宽内存（HBM）芯片——12 层堆叠的 HBM4E 样品的发货工作，并强调这是全球范围内首次实现该类产品的交付。鉴于 AI 服务器及处理器对高端存储芯片的需求急剧攀升，三星的客户名单涵盖了 AMD(518.09, 22.55, 4.55%)、英伟达以及谷歌 (386.12, 1.29, 0.34%) 等业界领先的 AI 企业。 责任编辑：王永生 新浪财经声明：此消息系转载自合作媒体，新浪财经登载此文出于传递更多信息之目的，文章内容仅供参考，不构成投资建议。 郑重
三星全球首发 HBM4E 样品，性能跃升超两成
三星电子于周五正式宣告，已启动其最新一代高带宽内存（HBM）——12 层堆叠 HBM4E 样品的交付工作，并强调这是全球范围内该类产品的首次出货。 鉴于人工智能服务器及处理器对高端存储芯片的需求急剧攀升，包括 AMD(518.09, 22.55, 4.55%)、英伟达以及谷歌 (386.12, 1.29, 0.34%) 在内的顶级 AI 巨头，均已纳入三星的客户阵营。 在今年早些时候率先实现业界领先的 HBM4 大规模量产与商用交付后，三星此次通过推出 HBM4E 样品进一步拓展了其 HBM 技术路线图，
三星率先发布HBM4E芯片样品，引领AI存储技术
三星电子宣布已开始为客户供应业界领先的12层HBM4E样品，在AI存储芯片领域取得竞争优势。这家韩国科技巨头表示，新推出的48GB容量12层HBM4E相比前代产品性能提升超30%。该公司于今年2月实现HBM4的批量生产，这一进展体现了高带宽内存市场的发展速度。HBM芯片采用多层DRAM垂直堆叠技术，既能大幅提升数据传输效率又能降低能耗，现已成为AI处理器的核心组件。伴随着AI基础设施建设的加速推进，市场对高性能、低功耗存储芯片的需求持续攀升，存储芯片厂商正积极争夺未来AI系统订单。三星率先推出12层HBM