内存开支激增：从8%到30%
半导体行业观察SemiAnalysis预测，到2026年，内存支出将占据超大规模数据中心总资本支出的大约30%，相比2023年的8%有了显著增长。到了2027年，这个比例有望继续上升。短短四年间，由于DRAM价格暴涨至前所未有的高度，以及HBM供应持续短缺，内存支出占比几乎增长了四倍。这种变化主要是因为人工智能需求的推动。SemiAnalysis预测，到2026年，内存支出将占超大规模数据中心总资本支出的约30%，高于2023年和2024年的8%左右。该公司预计，在2027年这一比例还会进一步增加，这意味
机构估算：马斯克TeraFab若达成目标，投入或高达5万亿美元
IT之家 3 月 26 日消息，据 Tom's Hardware 报道，尽管埃隆 · 马斯克的 TeraFab 超级晶圆厂项目已注入 200 亿美元资金 —— 该项目计划将逻辑芯片、存储芯片的制造与封装整合在同一厂区，但这笔资金仅够建造一座 7 纳米级别的逻辑芯片晶圆厂。而马斯克的最终目标，是年产数百万乃至数十亿颗 AI 芯片，年耗电量达到 1 太瓦（1 TW）。据伯恩斯坦研究公司测算，这一目标远超当前行业产能，若要实现，马斯克需要投入 5 万亿美元（IT之家注：现汇率约合 34.53 万亿元人民
A股芯片板块现分化：海光信息、闻泰科技走强，存储股承压回落
存储芯片板块的增长可能正进入分化阶段。 3月26日，A股多只芯片概念股上涨，截至发稿，金海通(259.760, 8.46, 3.37%)（603061.SH）涨超4%，斯达半导(107.530, 2.35, 2.23%)（603290.SH）上涨3.92%，海光信息(219.130, 1.73, 0.80%)（688041.SH）涨超2%，闻泰科技(32.570, 0.17, 0.52%)（维权）（600745.SH）涨超1.5%，富满微(38.500, -0.19, -0.49%)（300671.SZ）
SK 海力士押注台积电 3nm 工艺 旨在 HBM4E 超越三星抢占 AI 内存高地
IT之家 3 月 22 日消息，据韩媒《朝鲜日报》，SK 海力士正考虑在其 HBM4E 中为承担核心处理功能的“逻辑芯片”引入台积电 3nm 工艺，从而进一步获取性能优势。 业内消息人士 3 月 20 日透露，SK 海力士计划在 HBM4E 的“核心芯片”（即堆叠的 DRAM）上使用 10nm 级第 6 代（1c）DRAM 工艺，而逻辑芯片则采用台积电的 3nm 工艺。 相比之下，今年 SK 海力士向英伟达供应的 HBM4 采用了 10nm 级第 5 代（1b）DRAM 核心芯片，逻辑芯片则使用台积电 1