AI内存缺口扩大，谁才真正具备交付力
全球AI服务器正以年均35%的增速持续扩张，单台设备的内存配置也从128GB快速提升到3TB，并逐步成为主流标准。然而，当戴尔CEO提出“AI内存需求将增长625倍”这一惊人判断后，市场反而陷入沉寂——并非没人认可，而是真正能够稳定供货的厂商屈指可数。一边是三星、SK海力士、美光三大原厂对手机客户暂停常规报价，现货市场甚至出现“一个小时一个价格”的剧烈波动；另一边则是A股存储概念板块年内涨幅中位数仅为+12.3%，明显落后于算力设备和AI芯片板块。资金并未缺席，但上涨逻辑始终模糊。核心症结不在叙事，而在兑
一季度 DRAM 价格翻倍后，三星电子二季度拟再涨 30%
IT之家 4 月 6 日讯，尽管部分 DDR5 内存产品近期报价出现小幅回落，然而存储芯片巨头三星仍在与客户敲定利润率更高的供货协议。根据韩国媒体 ETNews 的消息，三星电子计划将第二季度 DRAM 合约价较一季度提升约三成，上月末已完成与核心客户的议价并签署供应协议，此次调价幅度为平均水准，涵盖 HBM852 高带宽内存及服务器、个人电脑、移动设备等领域的普通 DRAM 产品。 在存储芯片供应持续紧张的局面下，三星已于 2026 年一季度将 DRAM 均价上调 100%。虽然涨幅有所收窄，但企业方面
三星内存业绩飙升 DRAM二季度或再涨三成
来源：财联社 本周二，全球最大存储芯片厂商三星电子披露了第一季度初步业绩：公司预计当季营业利润将刷新历史纪录，同比增幅超过八倍，大幅好于市场此前预估。背后主要原因在于人工智能基础设施需求快速爆发，推动存储芯片供给趋紧，价格也随之持续攀升。 在存储芯片需求持续高涨的背景下，三星电子也已经与核心客户完成了第二季度DRAM价格协商并签订供货协议，价格在第一季度基础上再度上调约30%。 三星Q1利润猛增8倍 三星电子预计，今年第一季度（1月至3月）公司营收同比提升68%，达到133万亿韩元（约合人民币6070.7
SK海力士赴美募资临近 美光承受更大压力
近几周来，美光科技在资本市场表现不振，而其来自韩国的竞争者SK海力士又即将登陆美国市场，这无疑进一步放大了美光当前所面对的压力。 作为全球排名第三的存储芯片厂商，美光在今年初曾迎来强劲上涨，1月份股价累计飙升接近50%，在标普500成分股中位居第二。然而最近，受市场对存储行业前景的忧虑以及伊朗战争带来的整体不确定性影响，公司股价不断走弱。虽然上周两个交易日明显回升，周一也延续反弹，但与三周前的高位相比仍回落了近20%，而3月份更成为其近四年来表现最差的月份之一。 眼下，作为英伟达关键供应商的SK海力士已递
巴克莱：AI内存需求驱动韩国芯片巨头战略升级
巴克莱银行的一份分析报告指出，韩国顶尖的芯片制造商将从人工智能所催生的强劲内存需求中获利，但必须调整自身战略以确保持续的增长动力。人工智能技术的蓬勃发展正急剧推升对高性能内存的需求，特别是对AI服务器与数据中心至关重要的高带宽内存。作为全球最大的两家内存制造商，三星电子与SK海力士正成为这一结构性变革的核心受益者。巴克莱分析认为，随着AI相关需求收紧市场供应，内存行业的定价能力正在增强，尤其是在先进内存产品领域。这推动了平均售价的上行，预计短期内将继续支撑这两家企业的盈利增长。然而，报告也强调，仅仅依赖周
AI热潮，手机价格攀升
某手机制造商宣布调价；坦陈：“原材料成本上升，实在撑不住了。”计算机配件全面提价。内存、固态硬盘、图形卡，无一例外。有用户抱怨：“去年能购入 32G 的预算，今年仅够买 16G。”三星、海力士等存储业巨头股价大幅震荡。某日闪存板块集体下滑，缘由是 “谷歌推出了一项新科技”。模型参数：70 亿、700 亿、乃至 7000 亿每次运算：需将大量参数载入内存同时在线人数：百万、千万、上亿AI 爆发，HBM 需求猛增HBM 利润更高，晶圆厂优先制造 HBM普通内存、闪存的生产被挤压供不应求，价格飞涨手机制造商成本
内存开支激增：从8%到30%
半导体行业观察SemiAnalysis预测，到2026年，内存支出将占据超大规模数据中心总资本支出的大约30%，相比2023年的8%有了显著增长。到了2027年，这个比例有望继续上升。短短四年间，由于DRAM价格暴涨至前所未有的高度，以及HBM供应持续短缺，内存支出占比几乎增长了四倍。这种变化主要是因为人工智能需求的推动。SemiAnalysis预测，到2026年，内存支出将占超大规模数据中心总资本支出的约30%，高于2023年和2024年的8%左右。该公司预计，在2027年这一比例还会进一步增加，这意味
机构估算：马斯克TeraFab若达成目标，投入或高达5万亿美元
IT之家 3 月 26 日消息，据 Tom's Hardware 报道，尽管埃隆 · 马斯克的 TeraFab 超级晶圆厂项目已注入 200 亿美元资金 —— 该项目计划将逻辑芯片、存储芯片的制造与封装整合在同一厂区，但这笔资金仅够建造一座 7 纳米级别的逻辑芯片晶圆厂。而马斯克的最终目标，是年产数百万乃至数十亿颗 AI 芯片，年耗电量达到 1 太瓦（1 TW）。据伯恩斯坦研究公司测算，这一目标远超当前行业产能，若要实现，马斯克需要投入 5 万亿美元（IT之家注：现汇率约合 34.53 万亿元人民
A股芯片板块现分化：海光信息、闻泰科技走强，存储股承压回落
存储芯片板块的增长可能正进入分化阶段。 3月26日，A股多只芯片概念股上涨，截至发稿，金海通(259.760, 8.46, 3.37%)（603061.SH）涨超4%，斯达半导(107.530, 2.35, 2.23%)（603290.SH）上涨3.92%，海光信息(219.130, 1.73, 0.80%)（688041.SH）涨超2%，闻泰科技(32.570, 0.17, 0.52%)（维权）（600745.SH）涨超1.5%，富满微(38.500, -0.19, -0.49%)（300671.SZ）
SK 海力士押注台积电 3nm 工艺 旨在 HBM4E 超越三星抢占 AI 内存高地
IT之家 3 月 22 日消息，据韩媒《朝鲜日报》，SK 海力士正考虑在其 HBM4E 中为承担核心处理功能的“逻辑芯片”引入台积电 3nm 工艺，从而进一步获取性能优势。 业内消息人士 3 月 20 日透露，SK 海力士计划在 HBM4E 的“核心芯片”（即堆叠的 DRAM）上使用 10nm 级第 6 代（1c）DRAM 工艺，而逻辑芯片则采用台积电的 3nm 工艺。 相比之下，今年 SK 海力士向英伟达供应的 HBM4 采用了 10nm 级第 5 代（1b）DRAM 核心芯片，逻辑芯片则使用台积电 1