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美前官员放话:特朗普不至于放弃台湾

美前官员放话:特朗普不至于放弃台湾

【文/观察者网 柳白】 台当局使尽浑身解数向美国献媚,换来了一出“热脸贴冷屁股”的闹剧。 “随着特朗普对中国态度软化,形势从未像现在这般危急。”美国《华尔街日报》3月22日刊文揭露,台湾地区为迎合特朗普政府,提出一系列贸易与投资方案,甚至试图以“半导体王牌”换取美国安全保证,但美方始终未作出坚定承诺,反而在关税、军售等问题上持续施压,眼下特朗普政府为寻求对华贸易休战,避免激怒中方,已在国防战略文件中使用异常温和的对华措辞,甚至可能在台湾问题上进一步调整姿态。 “关税大棒”击碎台当局幻想 文章指出,当特朗普

2026-03-24 12:21:38  |  14 阅读
3月24日美股成交额排行榜:巴克莱指出特斯拉Terafab项目资本支出预期显著不足

3月24日美股成交额排行榜:巴克莱指出特斯拉Terafab项目资本支出预期显著不足

周一美股成交额第1名英伟达收高1.73%,成交319.4亿美元。英伟达与AMD(202.68, 1.35, 0.67%)周一领衔芯片及AI股票强劲反弹,因美伊紧张局势缓和为市场提供了喘息空间。 在特朗普总统表示近期与伊朗的会谈“富有成效”并暂时叫停计划中的军事打击后,两只股票早盘均上涨约2.8%,此后涨幅逐渐收窄。这一基调转变有助于缓解市场对能源供应中断及更广泛地缘政治影响的担忧——这些因素此前一直压制着市场情绪。 第2名特斯拉(380.85, 12.89, 3.50%)收高3.48%,成交281.63亿

2026-03-24 04:47:44  |  7 阅读

英伟达Feynman芯片因台积电产能受限或需重新规划

据媒体报道,由于台积电(329.24, -9.55, -2.82%)的制造产能有限,英伟达可能被迫重新设计其下一代Feynman人工智能芯片平台。 问题在于对先进2纳米制程电路的需求极为旺盛,而据报道台积电的产能至少到2028年已被完全预订。英伟达和Meta等大型人工智能公司都在争夺同一批尖端生产线,这使得人工智能产品的供应全面趋紧。 Feynman平台于2025年首次亮相,计划于2028年发布,旨在取代英伟达的Vera Rubin架构。任何设计变更都可能影响该平台的性能目标、发布时间或成本结构。 由于需

2026-03-23 21:09:38  |  5 阅读

人工智能芯片需求激增 今年全球晶圆代工营收或突破2180亿美元

【TechWeb】3月23日消息,据外媒报道,近几年大热的生成式人工智能,对英伟达、AMD等厂商的高性能算力芯片有强劲的需求,而部分厂商为了减少采购支出和对外部供应商的依赖,已在自研人工智能领域所需的芯片,谷歌的TPU(张量处理单元)就已在对外出售。 但无论是主要供应商英伟达、AMD,还是谷歌、亚马逊、Meta、OpenAI等在自研芯片的厂商,他们都没有制造芯片的能力,在完成芯片的设计之后都要交由台积电、三星电子等厂商代工。 而有市场研究机构预计,在AI领域强劲需求的推动下,今年全球晶圆代工市场的规模也将

2026-03-23 20:59:58  |  14 阅读

台积电年度营收将创新高 预计突破1610亿美元

【TechWeb】3月23日消息,据外媒报道,在AI领域强劲需求和消费电子产品领域需求增加的推动下,为苹果、英伟达、AMD等厂商代工芯片的台积电,营收在去年也有大幅增加,达到了1224.24亿美元,较此前一年的900.83亿美元增加300多亿美元,同比大增35.9%。 而在人工智能热潮依旧的大背景下,科技巨头和新兴厂商在这一领域仍在大力投入,仍在大量采购更先进的芯片,台积电的芯片代工业务,也就依然有庞大的订单,他们的营收在今年也就有望继续大幅增长,进而再创新高。 有市场研究机构在最新的报告中就预计,台积电

2026-03-23 20:58:22  |  17 阅读

能源与氦气供应双重隐忧,全球芯片业或迎意外冲击

中东冲突可能将对全球芯片行业造成毁灭性打击,而市场目前还未对此风险进行充分定价。 巴克莱银行研究团队指出,中东冲突已经超过三周,这与中东原油和天然气运往北亚的典型运输周期相吻合。随着时间推移,能源中断的影响将逐步显现,市场的关注点也将从石油价格会否突破每桶100美元,转移到半导体行业能否维持其电力和原材料供应。 分析机构牛津经济研究院则预计,由于中东冲突导致卡塔尔向东亚供应液化天然气中断,东亚地区的投资和工业生产增长将放缓0.4个百分点。 牛津经济研究院尤其警告半导体行业面临的风险。其中,由于中国台湾地区

2026-03-23 15:56:48  |  15 阅读
SK 海力士押注台积电 3nm 工艺 旨在 HBM4E 超越三星抢占 AI 内存高地

SK 海力士押注台积电 3nm 工艺 旨在 HBM4E 超越三星抢占 AI 内存高地

IT之家 3 月 22 日消息,据韩媒《朝鲜日报》,SK 海力士正考虑在其 HBM4E 中为承担核心处理功能的“逻辑芯片”引入台积电 3nm 工艺,从而进一步获取性能优势。 业内消息人士 3 月 20 日透露,SK 海力士计划在 HBM4E 的“核心芯片”(即堆叠的 DRAM)上使用 10nm 级第 6 代(1c)DRAM 工艺,而逻辑芯片则采用台积电的 3nm 工艺。 相比之下,今年 SK 海力士向英伟达供应的 HBM4 采用了 10nm 级第 5 代(1b)DRAM 核心芯片,逻辑芯片则使用台积电 1

2026-03-23 10:06:28  |  16 阅读