兆易创新发布大容量SPI NAND Flash新品
4月2日，兆易创新(250.210, -4.79, -1.88%)宣布推出GD5F4GM7/GD5F8GM8新一代、大容量SPINAND Flash。据兆易创新介绍，产品目前已进入样品阶段。
二季度存储芯片价格预计大涨50%以上
【TechWeb】4月1日消息，据外媒报道，存储芯片的价格在去年下半年大幅上涨，在进入2026年之后仍持续攀升。此前，市场研究机构曾预计DRAM价格在一季度将环比上涨超过80%。 而在一季度接近尾声时，市场研究机构发布了新的报告，披露了一季度存储芯片价格的上涨幅度，并给出了二季度的上涨预期。 市场研究机构在报告中指出，通用DRAM的合约价格在一季度环比上涨93%到98%，NAND闪存的合约价格则是环比上涨85%到90%。 对于二季度，市场研究机构预计通用DRAM的合约价格将环比上涨58%到63%，NAND
AI推理驱动SSD需求激增
随着全球AI产业从"建模"转向"应用"，数据中心内部正在进行一场存储架构的变革。铠侠（KIOXIA）在CFMS | MemoryS 2026峰会上展示了2025年至2031年间数据中心NAND位需求将以每年34%的速度增长，其中AI推理需求增长最快，达到56%，超越AI训练（11%）和传统应用（14%）。铠侠SSD首席技术执行官福田浩一表示："AI推理已经从大量模型训练转变为使用推理模型。谁能够提供最经济、最快、最安全的推理AI，谁就能在竞争中获胜，而存储成为关键瓶
三星西安厂量产236层NAND 冲击286层
快科技3月30日消息，据韩媒ETNEWS报道，位于西安的三星电子NAND晶圆厂已正式实现V8（236层堆叠）3D NAND闪存的量产。 本次制程升级工作自2024年启动，在原有V6（128层）NAND生产线基础上完成技术改造，旨在提升产品性能与生产效率，满足AI时代对高性能存储设备的需求。 在量产V8 NAND后，三星西安晶圆厂的下一步已瞄准286层堆叠的V9 NAND，相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成转换并开始大规模生产。 据悉，3D NAND 闪存的堆叠层数是衡量厂商技术实力的核心指标
存储芯片板块回暖 德明利冲击涨停
#部分内存涨价或达150%#【存储芯片概念震荡回升 德明利(349.630, 28.63, 8.92%)逼近涨停】财联社3月24日电，午后存储芯片概念震荡回升，德明利逼近涨停，古鳌科技(15.620, 1.22, 8.47%)（维权）、商络电子(17.740, 1.18, 7.13%)、赛腾股份(43.500, 2.57, 6.28%)、盈新发展(3.050, 0.19, 6.64%)（维权）、气派科技(27.460, 1.53, 5.90%)等跟涨。消息面上，Wedbush分析师在周一发布的报告中表示
AI浪潮推动存储芯片价格狂飙 美光科技等厂商迎超级周期
美光(404.35, -18.55, -4.39%)科技及整个内存领域可能正进入一轮强劲上涨周期。Wedbush表示，AI需求现已足够强劲，有望推动内存价格涨幅超过100%。 该机构指出，DRAM价格在2026年上半年较2025年第四季度水平可能攀升约130%至150%，NAND价格涨幅也紧随其后。市场格局相当清晰：供应持续紧张，而来自AI基础设施的需求仍在加速增长。Wedbush表示，这些涨幅的幅度显示出市场环境改善的速度之快，尤其是结合美光科技近期强劲的业绩与展望来看。 这一强势表现正外溢至整个产业链