群联潘健成警示：NAND Flash短缺将延续十年，Q4恐现有钱难求货
IT之家 4 月 13 日消息，台媒经济日报报道，群联 CEO 潘健成 4 月 11 日受访时指出，AI、云端、PC 及手机需求将在今年下半年集中涌现，他预警届时缺货局面将“极其严峻”。 潘健成明确，只要 AI 应用不止息，NAND Flash 需求就不会减弱。他指出，AI 数据生成速度以百倍速率增长，然而 NAND Flash 原厂新建工厂最多仅能提升 50% 产能，因此他判断这波缺货潮在未来十年内怕是无法彻底化解。 潘健成透露，为应对包括英伟达新 GPU 及苹果新品发布，第四季度 NAND Flash
人工智能正重塑存储行业格局
⏱️ 全文阅读约 5 分钟 计算成本骤降，存储价格飙升。这两种趋势并行，正在重塑一个我们曾以为熟悉的产业。 一、两条分叉的曲线 2023年3月，GPT-4的输入成本为每百万token 30美元，输出为60美元。三年后，o3-mini输入成本降至0.0011美元，输出成本为0.0044美元，降幅高达96%。 Gartner的预测更为大胆：到2030年，万亿参数模型的推理成本将较当前水平再下降超过90%。 但存储市场讲述的是另一个故事。2025年第一季度，NAND闪存价格上涨70%，DRAM在消费电子领域的涨
目标价升至1250美元，闪迪被看好成AI时代纯NAND核心受益者
AI数据中心对存储空间的需求不断刷新高位，存储芯片的采购热度仍未见降温。尤其是NAND闪存价格，持续以高于市场预期的幅度走强。这也是推动闪迪股价刷新历史高点的重要原因。不过，这一轮上涨是否还能延续？随着内存价格表现强于此前判断，两位知名分析师近期同步上调目标价，而相关数据也显示——只要行业周期延续——答案依然偏向乐观。 华尔街因NAND涨价趋势继续抬升目标价 伯恩斯坦分析师马克·纽曼日前给出了华尔街目前最高的目标价。他把闪迪目标价由每股1000美元上调至1250美元，并继续给予“跑赢大盘”评级。按该股4月
芯片价格飙升助力 三星存储业务首季营收或超500亿
【TechWeb】4月8日资讯，据国外媒体报道，自去年下半年起存储芯片价格持续攀升，带动三星电子与SK海力士两大存储巨头业绩显著增长。其中三星电子去年第四季度营业额高达93.8万亿韩元，同比增幅达24%，净利润19.6万亿韩元，较前一年同期7.8万亿韩元增长逾两倍，存储部门贡献了37.1万亿韩元收入，所属设备解决方案事业群实现营业利润16.4万亿韩元。 据行业分析机构最新报告显示，在存储芯片价格持续上扬的带动下，三星电子存储业务今年第一季度收入预计将迎来新一轮爆发。 具体来看，该机构预测三星存储业务首季营
SK海力士为戴尔提供321层QLC消费级SSD：2230规格，容量可选
4月8日IT之家讯，韩国媒体The Elec报道称，SK海力士已开始向客户交付321层QLC（四层单元）消费级固态硬盘（SSD），此举旨在丰富其NAND闪存产品线。 据悉，这款新品型号为PQC21，采用2230紧凑型规格，提供1TB与2TB两种存储容量选项。QLC NAND技术允许每个存储单元容纳4比特数据，与SLC（单层单元）相比，它在存储密度上更具优势，但读写速度与耐用性相对较低。 该固态硬盘基于321层4D结构堆叠了数千亿个QLC存储单元，并运用PUC（IT之家注：Periphery Under C
KeyBanc看好美光后市：股价或仍有六成上涨空间
KeyBanc分析师周一上调了美光(378.045, 11.80, 3.22%)的业绩预估，并继续给予这家存储芯片厂商“买入”评级。 消息传出后，美光股价在周一尾盘时段上涨约3%。分析师约翰·温给出的目标价为600美元，意味着相较近期交易水平，该股或仍具备约60%的上行潜力。 目前，温预计该公司2026财年的每股收益将达到64.37美元，高于此前预测的60.18美元。对于2027财年，其盈利预期也由118.49美元上调至131.38美元。该分析师表示，处理器与存储产品需求表现强劲，是此次调高预期的关键原因
长江存储三厂年内投产：产能超越SK海力士冲击全球前三
快科技4月3日消息，据韩国媒体报道，长江存储位于武汉的三期项目（第三座晶圆厂），预计将于下半年开始量产高堆叠层数NAND Flash。 知情人士透露称，三期项目正在进行关键设备的最后安装，一期和二期产线已接近饱和状态。 目前长江存储一期产线月产量达10万片晶圆，二期产线月产约6万片，年产量从2024年的129万片增长至2025年的177万片，预计今年将接近200万片。 一旦三期项目全面投产，长江存储的NAND Flash产量预计将超越SK海力士（约190万片）和美光，跃居全球第三，仅次于铠侠（482万片）
兆易创新发布大容量SPI NAND Flash新品
4月2日，兆易创新(250.210, -4.79, -1.88%)宣布推出GD5F4GM7/GD5F8GM8新一代、大容量SPINAND Flash。据兆易创新介绍，产品目前已进入样品阶段。
二季度存储芯片价格预计大涨50%以上
【TechWeb】4月1日消息，据外媒报道，存储芯片的价格在去年下半年大幅上涨，在进入2026年之后仍持续攀升。此前，市场研究机构曾预计DRAM价格在一季度将环比上涨超过80%。 而在一季度接近尾声时，市场研究机构发布了新的报告，披露了一季度存储芯片价格的上涨幅度，并给出了二季度的上涨预期。 市场研究机构在报告中指出，通用DRAM的合约价格在一季度环比上涨93%到98%，NAND闪存的合约价格则是环比上涨85%到90%。 对于二季度，市场研究机构预计通用DRAM的合约价格将环比上涨58%到63%，NAND
AI推理驱动SSD需求激增
随着全球AI产业从"建模"转向"应用"，数据中心内部正在进行一场存储架构的变革。铠侠（KIOXIA）在CFMS | MemoryS 2026峰会上展示了2025年至2031年间数据中心NAND位需求将以每年34%的速度增长，其中AI推理需求增长最快，达到56%，超越AI训练（11%）和传统应用（14%）。铠侠SSD首席技术执行官福田浩一表示："AI推理已经从大量模型训练转变为使用推理模型。谁能够提供最经济、最快、最安全的推理AI，谁就能在竞争中获胜，而存储成为关键瓶
三星西安厂量产236层NAND 冲击286层
快科技3月30日消息，据韩媒ETNEWS报道，位于西安的三星电子NAND晶圆厂已正式实现V8（236层堆叠）3D NAND闪存的量产。 本次制程升级工作自2024年启动，在原有V6（128层）NAND生产线基础上完成技术改造，旨在提升产品性能与生产效率，满足AI时代对高性能存储设备的需求。 在量产V8 NAND后，三星西安晶圆厂的下一步已瞄准286层堆叠的V9 NAND，相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成转换并开始大规模生产。 据悉，3D NAND 闪存的堆叠层数是衡量厂商技术实力的核心指标
存储芯片板块回暖 德明利冲击涨停
#部分内存涨价或达150%#【存储芯片概念震荡回升 德明利(349.630, 28.63, 8.92%)逼近涨停】财联社3月24日电，午后存储芯片概念震荡回升，德明利逼近涨停，古鳌科技(15.620, 1.22, 8.47%)（维权）、商络电子(17.740, 1.18, 7.13%)、赛腾股份(43.500, 2.57, 6.28%)、盈新发展(3.050, 0.19, 6.64%)（维权）、气派科技(27.460, 1.53, 5.90%)等跟涨。消息面上，Wedbush分析师在周一发布的报告中表示
AI浪潮推动存储芯片价格狂飙 美光科技等厂商迎超级周期
美光(404.35, -18.55, -4.39%)科技及整个内存领域可能正进入一轮强劲上涨周期。Wedbush表示，AI需求现已足够强劲，有望推动内存价格涨幅超过100%。 该机构指出，DRAM价格在2026年上半年较2025年第四季度水平可能攀升约130%至150%，NAND价格涨幅也紧随其后。市场格局相当清晰：供应持续紧张，而来自AI基础设施的需求仍在加速增长。Wedbush表示，这些涨幅的幅度显示出市场环境改善的速度之快，尤其是结合美光科技近期强劲的业绩与展望来看。 这一强势表现正外溢至整个产业链