AI 紧急订单常态化
AI 数据中心冲刺 800V HVDC 架构，导线架制造商乐观预期「AI 急单将成常态」随着 AI 数据中心基础设施建设中电源管理系统的升级，行业转向采用 800V 高压直流（HVDC）供电方案，此举引爆了功率半导体的市场需求，显著推动了上游导线架厂商如顺德、界霖的出货量。加之产品调价红利逐渐释放，预计 2026 年营收有望实现两位数的年度增长。导线架业界表示，AI 服务器对电源管理的需求极为旺盛，英飞凌、意法半导体等国际 IDM 巨头近几个月的采购势头明显增强。特别是台湾厂商凭借非红供应链的天然优势，普
AI算力激增！功率半导体迎来涨价长波
AI算力激增！功率半导体迎来涨价长波 2026年初至今，英飞凌、德州仪器、安森美、意法半导体等国际功率半导体巨头接连发布调价函，部分产品线涨幅在10%-25%之间，其中AI服务器电源类组件涨幅更为显著。 • 英飞凌：自7月1日起实施第二轮调价，涵盖工业、汽车及AI电源全线产品。 • 德州仪器：紧随其后，数据中心用模拟芯片最高上调25%。 • 国内企业同步响应：部分产品提价10%-20%，行业步入量价双升新阶段。 涨价核心动因：AI需求井喷叠加产能供需错配 • 需求侧：AI算力爆发，功率器件需求呈指数级攀升
AI算力的能源与温度挑战：VPD垂直供电、功率器件与散热方案深度解读
英伟达Rubin架构GPU功率已突破2000W大关，传统供电模式正面临"低压大电流"的严峻考验。一场从芯片级供电到整机散热的全面升级浪潮正在兴起，A股市场中蕴藏的投资机会也在逐步显现。一、引言：算力跃升背后的两大"隐藏障碍"近两年间，AI芯片的算力增速已远超摩尔定律的经典轨迹——英伟达B200峰值功耗约2700W，后续Rubin架构更是瞄准2000W以上目标。然而，算力高速增长的表象之下，两个被低估的障碍正在制约整个产业发展：一是电力传输限制，大电流环境下供电效率急速下滑，传统水平供电已无法承载千安培级别
AI算力新周期：800V高压直流与固态变压器引领供电变革
AI算力密度正迈向兆瓦级时代。供电链路、变压器、电源架构、功率半导体，正成为下一阶段AI基础设施升级的关键方向。尤其是英伟达倡导的800V直流架构，以及固态变压器（SST）路线，正在重塑传统数据中心的供电逻辑。当前主流AI机柜功率大约在几十千瓦到100kW附近。但依据英伟达未来路线图，下一代高密度AI机柜功率还将持续攀升。部分方案甚至已开始探讨兆瓦级机柜。这意味着传统54V低压供电体系将面临多重挑战：随着功率继续提高，传统架构中的工频变压器、低压配电柜、整流环节、UPS系统，均将遭遇效率与体积瓶颈。数据中
AI 行情暂歇而非终结
虽说近几日线上线下均有提及白酒板块，盘面也出现了波动，但这仅限于个股的交易性机遇，并未形成板块级别的行情。唯有业绩已实现反转或具备反转预期的标的，方能吸引资金青睐。当然，除白酒外的部分老牌个股也有异动，因其位置偏低，安全性较高；前文所述的四只股票中，恒瑞医药已然启动，毕竟其基本面相较于中国中免与片仔癀更为稳健。关于 AI 的叙事逻辑显然尚未完结，不妨关注以下几则资讯。字节跳动今年的 AI 资本开支预计高达 700 亿美元，明年更可能攀升至 1000 亿美元，而去年这一数字仅为 250 亿美元。据央视财经报
AI 算力引爆碳化硅行情，低位龙头获主力猛攻！谁在独享电源红利？九成散户误入歧途
碳化硅价值被极度低估，逆势大幅上扬！机构资金争抢龙头，谁能收割 AI 电源红利？九成散户仍在错误赛道中深陷泥潭！🔥张老盈重点提示：以事件驱动为基础，以主力净流入为关键！AI 算力激增带动碳化硅需求，板块逆势走强，海外机构称其为“被严重忽视的核心主线”！实在无奈，九成散户混淆功率器件与衬底材料，盲目追逐劣质股，错失算力电源这一刚需赛道！张老盈投资核心（必读）事件驱动是前提，主力净流入是核心！本轮碳化硅行情的关键在于 AI 算力电源升级与新能源汽车渗透率提升，仅聚焦三类标的：①具备碳化硅衬底或器件量产能力②主
AI数据中心电源热潮：海外暴涨，国内滞后
一位深耕功率半导体领域三十年的友人昨日分享了一张图表给我。图中显示，德国功率半导体巨头英飞凌的股价在一年内飙升逾100%，市盈率高达84倍。他提到这让他联想到2000年互联网泡沫时期的情景。我凝视着这张K线图长达十分钟之久。他看到的是泡沫迹象。而我从中洞察到一个更宏大的叙事——海外已然疯狂，而国内正奋力追赶。美国氮化镓领军企业Navitas，单月涨幅达3倍。5月22日，因与英伟达的合作消息曝光，其股价再度飙升。碳化硅龙头Wolfspeed，同样在一个月内实现了三倍增长。在德国法兰克福交易所上市的英飞凌，一
AI驱动碳化硅产业爆发，四大龙头公司深度解析
随着智算中心能耗持续攀升，英伟达正式推出800V高压直流供电架构，全球功率半导体器件交付周期正在延长，部分龙头企业交期已突破30周。由于各地区成熟制程产能普遍处于满负荷状态，下半年产能紧张局面预计将进一步加剧。英飞凌等行业巨头明确表示，AI数据中心的加速部署正在推动功率开关与集成电路产品出现供应缺口。这些产业变化为碳化硅材料创造了全新的市场机遇。本文将围绕AI数据中心和终端硬件为碳化硅开辟的应用场景进行系统梳理，汇总全球主要厂商在8英寸产线方面的最新扩产动态，介绍从衬底、晶体生长设备到固态变压器等细分领域
AI重塑新药研发：从提效工具到成功率提升
人工智能正在彻底改变新药研发模式，不仅将早期开发时间缩短了30%到40%，还大幅提高了临床成功率，解决了传统研发中成本高、周期长、转化率低的难题。该技术贯穿了靶点筛选、分子设计、ADMET性质预测及临床优化等全流程，在大小分子领域均取得进展，已有多种AI药物进入临床试验。当前行业的竞争壁垒已从算法优势转变为对高质量私有数据及干湿实验闭环迭代能力的掌握，估值重点转向管线价值的临床兑现。随着全球监管环境成熟，药企与AI企业的合作日益紧密，预计2026年将迎来关键临床数据，标志着行业从效率验证走向价值实现的新阶
AI算力供电：产业链核心标的全面梳理
近期市场对AI电源800V发展趋势的关注度持续攀升，上游电子元器件的受益逻辑愈发清晰。相关标的1、SiC：天岳先进（688234）：全球SiC衬底领军企业+AI电源关键材料+市场份额全球第一。在AI电源/SiC领域，公司充分受益于AI算力激增对高压、高效电源的刚性需求，其导电型碳化硅衬底是制造SiC功率器件的核心基础材料。2025年导电型衬底全球市场份额达27.6%，超越Wolfspeed位居全球第一，其中8英寸衬底市场份额高达51.3%。其核心优势体现在：1)全球市场份额第一：衬底是SiC产业链中价值量
AI服务器电源：被忽视的千亿级蓝海市场
这个数字有多夸张？4台普通工作站加一起的耗电量，也比不上它。GPU厂商在疯狂堆算力的同时，供电系统这条线却承受着最大压力，却很少有人关注到这一点。2018年，一台标准服务器机柜，8kW就是极限了。而现在AI机柜，40kW只是起步，这还说得比较保守。功率密度飙升到这种程度，传统电源已经完全跟不上需求了。这条产业链，被硬生生砸出了全新的机会窗口。AI服务器电源分为三大块：PSU本体、PDU配电单元、液冷CDU。PSU负责把电网电转换成服务器可用的电，技术难点集中在高功率区间。台系厂商拿下了超过一半的市场，不是
花旗上调华虹目标价至160港元并重申买入
立足香港，放眼世界。新浪财经全球资本峰会金曜奖投票启动！挖掘最具价值的资本力量，你的一票，至关重要 点击投票 花旗银行发布研究报告指出，华虹半导体(113.1, -2.70, -2.33%)（01347）与中芯国际(66.3, -2.40, -3.49%)（00981）均受益于国内本土化进程、人工智能相关需求回暖、价格回升以及特色产能的持续扩张。中芯国际第一季度业绩超出市场预期，第二季度收入增长指引也高于行业共识，主要得益于产品平均售价提升、出货量增加以及订单可见度增强。就华虹而言，其第一季度在中国市场的
七类芯片定乾坤：揭秘 AI 算力的真实版图
展望未来十年的科技博弈，表层看似是 AI 应用的争锋，实则底层逻辑在于芯片体系的整体抗衡。近年来，每当话题触及人工智能，英伟达与 SK 海力士往往最先涌入大众脑海。这情有可原。大模型的训练依赖于惊人的计算吞吐量，算力芯片与存储芯片作为核心刚需，其中 GPU 因擅长并行处理而脱颖而出，致使英伟达成为此轮 AI 浪潮中的绝对主角。然而，若目光仅局限于 GPU，极易对整体芯片产业产生认知错位。毕竟，AI 的高效运转并非单靠某一颗芯片，而是依赖于一整套芯片系统的协同。GPU 主攻运算，CPU 负责调度，HBM 保
AI芯片产业链全景解析
市场概况今日市场全天维持窄幅震荡整理态势，走势与周日预判基本吻合。60分钟级别的顶背离结构对应8-12小时的调整周期，由于第二和第五根绿柱呈现放大态势，因此确认调整时间为12小时。完成缺口回补后主跌周期宣告结束，当前呈现横盘震荡格局，运行区间为4118-4150点，缺口形成支撑。实际走势验证了此前的判断，唯一不足之处在于收盘未能站上4150点上方。不过60分钟级别的顶背离已通过小一级别的底背离得到化解，30分钟级别已出现标准底背离动作，标志着市场调整周期基本告一段落。目前市场普遍判断为头部区域，但当前位置
华太电子IPO获受理：年收7亿却亏损近8000万 计划募集28亿加码芯片产业
华太电子冲刺科创板上市，核心技术自主可控实现产业链协同布局 苏州华太电子技术股份有限公司日前正式递交科创板上市申请，计划通过IPO募集27.81亿元资金。 募集资金将主要用于以下项目：7.69亿元投向超大功率 LDMOS 功放器件、射频大功率氮化镓功放器件、大功率单片射频 LDMOSMMIC、高集成射频模组研发及应用项目；4.65亿元用于全系列射频大功率封测设计和工程平台研发中心及产业化项目；4.43亿元用于高性能功率芯片、配套芯片及应用方案的研发及应用项目；5亿元用于研发中心建设项目；6亿元用于补充流动